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台积电将推出GaN快充芯片挑战TI、恩智浦

企业新闻 / 2022-11-28 19:35

本文摘要:晶圆龙头台积电先进设备制程技术再度向前朝著迈进,寄予厚望慢电池源管理IC市场潜力,协同合作夥伴戴乐格半导体(DialogSemiconductor),将于明年第1季发售首颗氮化镓(GaN)手机慢差使晶片,挑战慢差使晶片龙头德仪(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。

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晶圆龙头台积电先进设备制程技术再度向前朝著迈进,寄予厚望慢电池源管理IC市场潜力,协同合作夥伴戴乐格半导体(DialogSemiconductor),将于明年第1季发售首颗氮化镓(GaN)手机慢差使晶片,挑战慢差使晶片龙头德仪(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。  喧腾已久氮化镓制程,台积电再一宣告迈入氮化镓先进设备制程,为合作客户德商戴乐格量身打造出,使用6寸、0.5微米、650V矽上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术,生产首颗氮化镓手机慢差使晶片,预计在明年第1季生产量,该晶片不具备体积增大、效能提升、电池时间减为等优势,限于于手机及平板等行动慢差使,将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。  据报,台积电在氮化镓领域布局已幸,技术也非常成熟期,不过,因客户考量成本及下游应用于问题,对氮化镓制程市场需求不低,还是以传统矽制程居多,因此,台积电也仅有能按兵不动、等候时机。

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如今手机慢差使应用于渐渐浮上台面,手机晶片联发科及高通陆续直言慢差使规格,展讯及海思也发售慢差使规格因应,而三星也发售提供支援Galaxy全系列智慧型手机的快差使功能,苹果也将重新加入慢差使行列,慢差使市场渐渐成熟期,台积电主动大展拳脚。  业界回应,使用氮化镓制程生产晶片除可应用于手机慢差使,还可大幅度削减笔电外接电源供应器体积,未来应用于伺服器、车用及智慧电网等市场商机可观。因此,涉及电源管理IC解决方案的国际晶片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早就补巴比涉及电源管理IC方案,发售晶片多以氮化镓制程生产,此次,台积电与戴格乐合作,除了挑战霸主地位,更加展现出台积电在氮化镓制程成熟技术,向涉及电源管理IC厂客户旁观。


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